LG반도체가 세계최초로 X선을 이용한 4기가D램의 초미세 노광기술을 개발했다.
LG반도체와 포항공대는 올해초부터 공동연구팀을 구성, 포항공대의 방사광가속기를 이용한 X선 노광기술 개발에 착수, 9개월만에 4기가D램(신문 3만2천페이지 분량을 엄지손가락 크기의 1개칩에 기록, 저장할수 있는 반도체)의 기억소자공정을 가능하게하는 0.13미크론의 초미세 노광기술 개발에 성공한 것.
노광기술은 반도체 회로를 웨이퍼위에 형상화시키는 핵심기술이다.
특히 X선노광기술은 현재 세계적인 IBM, NTT, 미쓰비시등 미국, 일본등 선진
국 10여개 업체들이 먼저 연구를 시작했으나 아직 실질적인 결실을 보지못한첨단기술로 국내업계의 산학프로젝트 실적중 가장 알찬 성과로 평가받고 있다.X선노광기술개발은 그동안 천문학적인 투자비와 관련장비, 기초기술의 부족등으로 국내에선 전무했으나 포항공대의 방사광가속기 설치를 계기로 지난 5월LG반도체가 X선노광기술 연구센터를 설립하면서 본격화됐던 것.
한편 X선 노광기술 연구센터 이희국상무는 21일 가진 노광기술 발표회를 통해기술개발의 실적은 LG반도체와 포항공대의 박사급 10명등 30명의 연구전담인력이 투입된 전략적인 연구 프로젝트였다 면서 이번의 연구성과를 바탕으로 4기가D램의 개발이 한층 앞당겨질수 있을 것으로 전망된다 고 밝혔다.
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