삼성전자가 4조원가량을 투입해 개발한 반도체 핵심 기술을 중국에 빼돌린 혐의를 받는 전 삼성전자 직원들이 구속 상태로 재판에 넘겨졌다. 이들은 삼성전자 상무와 하이닉스 부사장을 지내는 등 국내 반도체 업계에서 30년가량 근무했으며 삼성전자 수석연구원 출신도 있었다.
27일 서울중앙지검 정보기술범죄수부(부장검사 안동건)는 중국 반도체 회사 청두가오전(CHJS) 대표 최모씨(68)와 개발실장 오모씨(60)를 산업기술보호법 위반 및 부정경쟁방지법 위반 등 혐의로 이날 구속기소했다고 밝혔다.
최씨는 2021년 중국 청두시에서 투자를 받아 '청두가오전'을 설립하고 국내 반도체 핵심 인력인 오씨 등을 영입했다. 이후 삼성전자가 자체 개발한 20나노급 D램 기술을 부정 사용한 혐의를 받는다.
이들은 해당 방법으로 글로벌 반도체 회사들도 4~5년이 걸리는 D램 반도체 공정기술을 불과 1년 6개월 만에 개발해 중국에서 2번째로 D램 시범 웨이퍼 시범 생산에 성공했다.
검찰은 추가 수사에서 최씨가 중국 반도체 회사 지분 860억원 상당과 보수 명목으로 18억원을 취득한 혐의를 추가로 밝혀냈다. 또, 청두가오전 법인도 범행을 조직적으로 계획·실행한 사실을 확인해 추가 기소했다.
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